多晶硅晶圓等離子體清洗設備的干式刻蝕法因其離子密度高、刻蝕均勻、刻蝕側壁垂直度高、表面粗糙度高等優(yōu)點被廣泛應用于半導體加工工藝中。隨著現代半導體技術的發(fā)展，載玻片等離子體刻蝕對腐蝕的要求也越來越高。多晶硅晶圓等離子清洗設備滿足這一要求。設備穩(wěn)定性是保證生產過程穩(wěn)定性和可重復性的關鍵因素之一。等離子清洗機是一種多功能等離子表面處理設備，可配備等離子、蝕刻、等離子化學反應、粉末等等離子處理部件。

它們相互碰撞并形成等離子體，載玻片等離子體刻蝕等離子體是一種高度活性的離子，具有足夠的能量打破幾乎任何鍵。由于不同氣體的等離子體可以在任何暴露的表面上產生化學反應，它們的化學性質是不同的。例如，氧等離子體具有很強的氧化性，光刻技術可以與之反應生成氣體。等離子體具有良好的各向異性，能夠滿足刻蝕的要求。

其他參數為:腐蝕溫度為:華氏150度;蝕刻功率:2200W;蝕刻時間取決于氣體流量比。比較孔壁的均勻性，載玻片等離子體刻蝕機器選擇腐蝕氣流的比例。由于清洗開始時銅箔對層間環(huán)氧玻璃布影響不大，為了提高清洗速度，等離子體清洗的氣體比設為CF4: O2 0.5，總氣體量為900m/min。其他參數:刻蝕溫度65.5℃(150F);刻蝕功率2200W;刻蝕時間6min。然后，利用上述實驗得到的氣體比例，分兩階段刻蝕孔壁。

”因此，載玻片等離子體刻蝕日本政府的“指導方針”是先決條件。寫在Z后面據相關數據顯示，1988年和1989年，日本的半導體產業(yè)在其鼎盛時期占世界半導體產業(yè)的一半，遠遠落后于歐美。日本在前10名中占據6席，NEC、東芝和日立位列第三。1989年，日本占全球芯片市場的51%，遠高于美國的36%，而歐洲占11%，韓國僅占1%。但是，受到美國的攻擊后，日本半導體行業(yè)的狀況出現了惡化。

載玻片等離子體刻蝕

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因此，從某種意義上說，正是IC封裝技術的發(fā)展，推動著電子設備的不斷升級，推動著電子信息技術的快速發(fā)展。在線等離子清洗設備和生產技術在IC組裝水平內的應用越來越廣泛，并以其優(yōu)異的工藝性能推動微電子工業(yè)技術的快速發(fā)展，隨著現代高新技術的需要，在線等離子清洗技術將不斷開發(fā)技術，提高產品性能，開發(fā)更多的應用領域。。等離子清洗后可以有效去除粘接區(qū)內的各種污染物，提高粘接強度。

與樣品的化學反應和物理反應，都起著重要的作用，又相互促進，離子轟擊使清洗表面的傷害減弱其化學鍵可能構成的原子狀態(tài);離子的碰撞使被清洗材料受熱，使其更容易發(fā)生反應。?優(yōu)點:不發(fā)生化學反應，清洗表面不留下氧化物，能保留待清洗物質純度、腐蝕影響各向異性的缺陷:是對外觀的危害很大，可能會發(fā)生很多熱效應，對各種清洗材料的外觀選擇性差，腐蝕速率低，化學反應頻率- MHz。

等離子體清洗操作方法:保持清潔塊石英船,平行氣流方向,在兩個電極之間的真空室,真空1.3 Pa,獲得適當的氧,堅持-13年1.3 Pa真空室壓力,和高頻功率,產生薰衣草輝光放電電極之間,通過調度功率、流量等技術參數，可以得到不同的剝離率，當膜到網時，發(fā)光。等離子清洗機脫膠的影響因素:1。頻率選擇:頻率越高，氧越容易電離形成等離子體。

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