例如，氧化硅表面活化濕法處理步驟雖然簡(jiǎn)單，但結(jié)果含有C、O、F等污染物；高溫處理能有效去除C、O污染物，但處理溫度有待進(jìn)一步優(yōu)化，后續(xù)工藝兼容性差；等離子體處理能有效去除含O和F的污染物，但處理溫度和時(shí)間不當(dāng)會(huì)導(dǎo)致表面離子的破壞，造成碳化硅表面重構(gòu)。根據(jù)上述表面處理方法的特點(diǎn)，采用濕法清洗和氧氬等離子體處理晶圓，直接將碳化硅熔點(diǎn)與低溫低壓熱壓碳化硅熔點(diǎn)進(jìn)行比較；粘接，并達(dá)到理想的粘接效果。
因此，氧化硅表面活化盡量減少表面摩擦阻力是提高速度和節(jié)約能源的主要途徑。近年來(lái)，在等離子表面處理機(jī)上使用超疏水涂層降低超疏水表面阻力的研究引起了研究人員的關(guān)注。例如，使用超疏水硅表面的減阻研究發(fā)現(xiàn)，減阻可以達(dá)到 30% 到 40%。主要采用改性硅橡膠和聚氨酯樹(shù)脂，在等離子表面處理機(jī)的超疏水涂層中加入低表面能無(wú)機(jī)或有機(jī)填料。在低流速下，最大表面減阻可以達(dá)到 30%，但由于表面粗糙度的影響，隨著流量增加，這種減阻效果較差。
等離子體處理的RHEED圖像呈條紋狀，氧化硅表面活化表明表面非常平坦。傳統(tǒng)濕法處理碳化硅表面的主要雜質(zhì)是碳和氧。這些雜質(zhì)在低溫下與H原子反應(yīng)，并以CH和H2O的形式從表面除去。等離子體處理后的表面氧含量明顯低于傳統(tǒng)的濕法清洗。已知，表面雜質(zhì)C的存在是半導(dǎo)體MOS器件制造或歐姆接觸的主要障礙。如果經(jīng)過(guò)氫等離子體表面處理裝置處理后，Cls的高能尾部消失，即cc-H污染消失，則更容易制備高性能歐姆接觸和MOS器件。
1)等離子清洗機(jī)...
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