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金徠技術(shù)

ShenZhen City JinLai Technology Co.,Ltd.

氮化硼的表面改性

作為稀釋氣體,氮化硼的表面改性Ar和He對(duì)GST形態(tài)影響不大,但He用于四線圖組時(shí),邊緣圖和中心圖的負(fù)荷較小。對(duì)于Ar,載荷更顯著,這可能是由于Ar和he 2之間存在顯著的質(zhì)量差異所致。氮化鈦是GST刻蝕常用的硬掩模,其輪廓形狀直接影響底層GST的輪廓。氯氣(Cl)主要用于氮化鈦的蝕刻。

氮化硼的表面改性

在射頻低溫等離子體發(fā)生器氮化中,氮化硼的表面改性低溫等離子體發(fā)生器的產(chǎn)生和襯底偏壓的產(chǎn)生是分開控制的,因此離子能量轉(zhuǎn)換和襯底表面通量可以分開控制。由于工作壓力相對(duì)較低,消耗的氣體量也相應(yīng)減少(低)。在滲氮過程中,低能量轉(zhuǎn)換的直流輝光放電可產(chǎn)生NH原子,這些高活性原子可用于滲氮。整個(gè)過程需要外接電源對(duì)工件進(jìn)行加熱,與氣體滲氮工藝類似。這類工業(yè)不僅可以精確控制表面拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),而且可以選擇是否形成復(fù)合層。

在等離子體表面處理改性過程中,氮化硼的表面處理改性不僅可以去除污垢(如有機(jī)物),還可以產(chǎn)生一些功能極性基團(tuán),促進(jìn)鍵合,通過交聯(lián)產(chǎn)生獎(jiǎng)勵(lì)效應(yīng)。電暈放電是許多聚合物在纏繞和涂覆過程中經(jīng)常使用的一種方法,對(duì)許多聚合物具有經(jīng)濟(jì)有效的作用。新開發(fā)的表面處理技術(shù)可以對(duì)射頻廠的混合氣體進(jìn)行電離,并結(jié)合直流磁控濺射技術(shù),利用等離子體處理技術(shù)對(duì)其表面進(jìn)行氧化、氮化、氨化或水解等處理,以提高材料的表面能,改善其結(jié)合性能。

氮化硅薄膜用于制造新的功能性、多功能、可靠的器件和等離子表面處理,氮化硼的表面處理改性其性能高度依賴于薄膜的制造條件。等離子化學(xué)氣相沉積(簡稱PECVD)具有沉積溫度低(<400℃)、沉積膜針孔密度低、均勻性高、臺(tái)階覆蓋率好等優(yōu)點(diǎn)。 PECVD氮化硅薄膜技術(shù)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件和集成電路的開發(fā)、芯片固定化膜的制作、多層布線之間的介質(zhì)膜的制造,并已發(fā)展為大規(guī)模和超大規(guī)模集成。

氮化硼的表面改性(氮化硼的表面處理改性)

1、氮化硼是親水性嗎(氮化硼是親水性還是疏水性)

2、氮化硼涂料附著力(氮化硼涂料在金屬的附著力)

3、氧化硅的親水性原理(氮化硅和氧化硅的親水性)

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