通過(guò)對(duì)這些應(yīng)用性能的測(cè)試分析，電暈處理機(jī)常見(jiàn)故障可以依次分析高分子材料表面動(dòng)態(tài)變化的特征。例如，通過(guò)測(cè)試高分子材料與樹(shù)脂基體的界面剪切強(qiáng)度、部分高分子材料電暈處理后的染色性能和電學(xué)性能，可以間接反映材料表面元素組成和極性基團(tuán)的變化；。用電暈處理器清洗表面可以提高表面張力。

表面性能測(cè)試方案采用接觸角分析儀和dyne筆，電暈處理機(jī)電路維修與分析可對(duì)電暈處理后的產(chǎn)品進(jìn)行及時(shí)測(cè)試。常壓電暈是實(shí)現(xiàn)各種制造應(yīng)用解決方案的堅(jiān)實(shí)平臺(tái)，膠粘劑點(diǎn)膠、粘接固定、焊接、印制電路板布線等只是其中的一部分?；诖髿鈮弘姇灥牟僮鬈浖咕幊毯?jiǎn)單，不需要復(fù)雜的操作方式。該系列電暈可使一名員工同時(shí)操作多臺(tái)，提高了生產(chǎn)效率。

不同能量的光子代表不同的波長(zhǎng)。通過(guò)對(duì)光譜的分析，電暈處理機(jī)常見(jiàn)故障可以有效地分析電暈的刻蝕過(guò)程。這種解剖診斷過(guò)程常用于半導(dǎo)體制造中的EDP監(jiān)測(cè)。圖2電暈中的激發(fā)碰撞和光譜輻射電容耦合電暈源的典型腔室結(jié)構(gòu)如下圖所示。上下電極加電，一般頻率為13.56MHz。所有墻壁的外表面都會(huì)形成所謂的暗鞘層。暗鞘層通常被認(rèn)為是絕緣體或電容器，因此可以認(rèn)為功率是通過(guò)電容器傳遞給電暈的。

當(dāng)PD負(fù)載量從0.01%增加到1%時(shí)，電暈處理機(jī)常見(jiàn)故障C2烴產(chǎn)物中C2H4的摩爾分?jǐn)?shù)逐漸降低，而C2烴產(chǎn)物中C2H6的摩爾分?jǐn)?shù)逐漸增加，說(shuō)明La2O3/Y-Al2O3催化劑中PD的加入量進(jìn)一步增加，但C2烴產(chǎn)物中C2H4的摩爾分?jǐn)?shù)并沒(méi)有增加，反而促進(jìn)了C2H4向C2H6的轉(zhuǎn)化，增加了C2烴產(chǎn)物中C2H6的摩爾分?jǐn)?shù)。

電暈處理機(jī)電路維修與分析

除了超凈功能，電暈發(fā)生器還可以在特定條件下根據(jù)需要改變部分?jǐn)?shù)據(jù)的表面特征。電暈作用于數(shù)據(jù)表面，使表面分子的化學(xué)鍵重新結(jié)合，形成新的表面特性。對(duì)于一些特殊用途的數(shù)據(jù)，在超清洗過(guò)程中電暈清洗劑的輝光放電可以增強(qiáng)這些數(shù)據(jù)的附著力、相容性和潤(rùn)濕性。目前廣泛應(yīng)用于光學(xué)、光電子、電子學(xué)、材料科學(xué)、生命科學(xué)、高分子科學(xué)、生物醫(yī)學(xué)、顯微流體等領(lǐng)域。

電暈去污不需要使用整個(gè)濕法工藝線，降低了化學(xué)處理的成本，減少了水的使用。電暈去污時(shí)，面板放置在真空箱中，再通過(guò)電源引入氣體轉(zhuǎn)化為電暈。電暈在面板表面反應(yīng)，通過(guò)真空泵去除揮發(fā)性樹(shù)脂去污。利用電暈表面處理設(shè)備去除鉆井污染的研究較多。研究人員研究了電暈機(jī)腔體的刻蝕速率分布和測(cè)定了聚酰亞胺、丙烯酸和環(huán)氧樹(shù)脂在剛?cè)峤Y(jié)合板中的刻蝕速率與電暈參數(shù)的關(guān)系。

在電子領(lǐng)域，這項(xiàng)技術(shù)可用于清洗蝕刻混合電路、PCB板、SMT、BGA、引線框架、平板顯示器；在醫(yī)療領(lǐng)域，該技術(shù)還應(yīng)應(yīng)用于提高導(dǎo)管、超細(xì)導(dǎo)管、過(guò)濾器、傳感器等各類(lèi)醫(yī)療設(shè)置的平滑度、潤(rùn)濕性等關(guān)鍵指標(biāo)。

真空電暈有很多優(yōu)點(diǎn)：1.數(shù)控加工工藝的選擇智能化程度高；2.具有高精度控制設(shè)備，時(shí)間控制精度高；3.合理的電暈清洗，表面層不易產(chǎn)生損傷層，工藝性能有保證；4.清洗工作真空進(jìn)行，清洗過(guò)程環(huán)保安全，不易造成環(huán)境污染，合理保證清洗面層不易二次污染。真空電暈利用兩個(gè)電極形成電磁場(chǎng)，利用真空泵實(shí)現(xiàn)有效真空度。

電暈處理機(jī)常見(jiàn)故障