在實(shí)際應(yīng)用中，考慮到生產(chǎn)成本和實(shí)際穩(wěn)定性，一般采用純ADC（壓縮空氣）、O2、N2，而氬氣僅用于某些特殊場(chǎng)合。這是通過(guò)氧自由基在等離子體中的運(yùn)動(dòng)使表面親水。當(dāng)形成該親水性基團(tuán)時(shí)，等離子體氧自由基與基底表面的碳結(jié)合，形成CO2，從而去除有機(jī)物。

在玻璃基板（LCD）上安裝裸芯片IC（裸芯片IC）的COG工藝中，當(dāng)芯片在高溫下粘結(jié)硬化時(shí)，基板涂層的成分沉淀在粘結(jié)填料的表面。有時(shí)，銀漿和其他連接劑溢出來(lái)污染粘合填料。如果在熱壓結(jié)合工藝前通過(guò)等離子清洗去除這些污染物，可大大提高熱壓結(jié)合的質(zhì)量。此外，由于提高了裸芯片的基板與IC表面之間的潤(rùn)濕性，LCD-COG模塊的鍵合緊密性也得以提高，并且線路腐蝕問(wèn)題也得以減少。

等離子體清洗技術(shù)可以去除金屬、陶瓷、塑料、玻璃等表面的有機(jī)污染物，并顯著改變這些表面的附著力和焊接強(qiáng)度。電離過(guò)程易于控制和安全重復(fù)?？梢哉f(shuō)，有效的表面處理是提高產(chǎn)品可靠性和工藝效率的關(guān)鍵，等離子體技術(shù)是目前最理想的技術(shù)。通過(guò)表面活化，等離子體技術(shù)可以提高大多數(shù)物質(zhì)的性能：清潔度、親水性、拒水性、內(nèi)聚性、可伸縮性、潤(rùn)滑性和耐磨性。

等離子體清洗通常采用激光、微波、電暈放電、熱離子化、電弧放電等方式將氣體激發(fā)到等離子體狀態(tài)。

在等離子體清洗應(yīng)用中，主要使用低壓氣體輝光等離子體。一些非聚合的無(wú)機(jī)氣體(Ar2、N2、H2、O2等)在高頻和低壓下受到刺激，以產(chǎn)生含有離子、激發(fā)分子、自由基等的活性粒子。通常，在等離子體清洗中，活性氣體可分為兩類，一類是惰性氣體等離子體（如Ar2、N2），另一類是反應(yīng)氣體等離子體（如O2、H2）。這些活性粒子可以與表面材料反應(yīng)，反應(yīng)過(guò)程如下：

電離——?dú)怏w分子——激發(fā)——激發(fā)態(tài)分子——清洗——活化表面

等離子體產(chǎn)生的原理是將射頻電壓（頻率約為幾十兆赫）施加到一組電極上，并在電極之間形成高頻交流電場(chǎng)。在交變電場(chǎng)的激勵(lì)下，該區(qū)域的氣體產(chǎn)生等離子體。有源等離子體在被清洗材料表面轟擊和反應(yīng)，使被清洗材料的表面材料成為顆粒和氣體物質(zhì)，通過(guò)真空放電，從而達(dá)到清洗的目的。

過(guò)程1：去除有機(jī)化合物

首先，利用等離子體原理激活氣體分子。

O_2O+O+2e-，O+O_2O_3，O_3O+O_2

然后，O，O 3與有機(jī)物反應(yīng)除去有機(jī)物。

有機(jī)化合物+O,O_3 CO_2+H_2

過(guò)程2是表面活化。

首先，利用等離子體原理激活氣體分子。

O_2O+O+2e-，O+O_2O_3，O_3O+O_2

然后通過(guò)O，O_3含氧官能團(tuán)的表面活化來(lái)提高材料的粘附性和潤(rùn)濕性。反應(yīng)如下：

R+O-RO

R+O 2 ROO